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Imec推出基于电荷耦合器件(CCD)-in-CMOS技术的高速紫外线感应与时间延迟积分(TDI)成像仪

类别:新品导读      出处:阿仪网      发布于:2018-11-09 15:48:24 | 101 次阅读

    导读:这种专业成像仪扩大了Imec基于CCD-in-CMOS的TDI成像仪产品组合,可应用于多种商用型号产品,包括全定制设计产品和评估相机产品。

    imec是纳米电子学和数字技术的研究和创新中心,它提出了一种基于电荷耦合的高速紫外敏感时延积分(TDI)成像仪。

    据麦姆斯咨询报道,本周,在Vision 2018展会(2018年11月6日至11月8日)上,世界领先的纳米电子和数字技术研究与创新中心Imec推出了一款基于电荷耦合器件(CCD)-in-CMOS技术的高速紫外线感应与时间延迟积分(TDI)成像仪。TDI成像仪在(近)紫外(UV)区域具有70%以上的量子效率,使其可应用于工业机器视觉,尤其是作为半导体制造过程中的检测工具。这种专业成像仪扩大了Imec基于CCD-in-CMOS的TDI成像仪产品组合,可应用于多种商用型号产品,包括全定制设计产品和评估相机产品。

    新型成像仪采用了Imec的TDI CCD-in-CMOS制造技术,结合了CCD TDI像素和CMOS读出。这种组合可以在单线扫描成像仪上实现两全齐美:低噪声、高灵敏度的TDI性能和低功耗、快速和复杂读出电路的片上集成。

    通过将Imec的背面照明技术与专用抗反射涂层结合使用,可以获得紫外线灵敏度。凭借背面照明技术,光从背面直接进入成像仪,显著提高了图像传感器的量子效率。通过添加紫外线特异性抗反射涂层,能够在250-400nm的(近)紫外区域达到70%以上的高峰值量子效率。对小于可见光的波长保持敏感使得成像仪能够检测到非常小的特征,因此该技术特别适用于半导体检测应用,例如掩模、晶圆和颗粒检测。

    TDI传感器采用Imec 130nm CMOS工艺流程中的CCD工艺模块,在200mm的晶圆上制作而成。这种具有成本效益的制造流程与其它晶圆级后处理技术兼容,例如可用于提高TDI传感器性能的光谱滤波器集成。由此制得的图像传感器具有高灵敏度和速度(高达300 kHz线速率),且具有低功耗。

    Imec图像传感器项目经理Maarten Rosmeulen表示,“凭借这款高速、低功耗TDI图像传感器,我们很高兴能够扩展具有紫外线感应功能的TDI CCD-in-CMOS图像传感器系列。我们现在可以提供在紫外和可见光范围内具有高量子效率的TDI CCD-in-CMOS图像传感器,从而实现丰富的高端用,包括遥感、医学成像和工业机器视觉。”


标签: 成像仪

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